Multilayer Leiterplatten

Fertigung nach Standardparametern: Ihr direkter Nutzen

  • Zeit- und Kosteneinsparung durch verkürzten Design- und Arbeitsvorbereitungsaufwand
  • Yield Optimierung auf beiden Seiten
  • Klare und eindeutige Kommunikation
  • Stabiler Übergang vom Prototyp zur Serienfertigung

Herstellungsprozess

Im nachfolgenden Film zeigen wir Ihnen den Herstellungsprozess einer Multilayer Leiterplatte.

Einige unserer Produktparameter
Merkmale
max. Lagenanzahl 20 20
max. Leiterplattengröße 570 x 500 mm 1150 x 550 mm
Leiterplattendicke max. 2,4 mm*
min. 0,5 mm
max. 4,5 mm
min. 0,5 mm
Kupferkaschierungen (Basiskupfer) 18 µm, 35 µm, 70 µm, 105 µm 18 µm - 210 µm
Material FR4 (TG 135, TG 150, TG 170)
FR4 (TG 135, TG 150, TG 170), RF
Oberflächen HAL,HAL bleifrei, chemisch Nickel-Gold,
chemisch Zinn, chemisch Silber, Hartgold, ENEPIG   
HAL, HAL bleifrei, chemisch Nickel-Gold,
chemisch Zinn, chemisch Silber, OSP, Hartgold, ENEPIG 
min. Leiterbahnbreite- und abstand 100/100 µm (Standard)
75 µm (min)
100/100 µm (Standard)
75 µm (min)
Aspect Ratio (Bohrdurchmesser : Leitplattendicke)   1 : 8 1 : 12
Zusatzdrucke
  • Beschriftungsdruck
  • Durchsteigerdruck
  • Lötabdecklack
  • Polymerdruck
  • Beschriftungsdruck
  • Durchsteigerdruck
  • Lötabdecklack
  • Polymerdruck
  * größere Dicken auf Anfrage  
Unsere Dokumentation ist standardisiert
Dokumentation
Abnahmeprüfzeugnis
  • nach DIN EN 10204
  • nach Kundenvorgaben  
  • nach WE Spezifikationen
  • nach IPC
Werksprüfzeugnis
  • nach DIN EN 10204
  • Prüfung in Anlehnung an IPC  
  • nach Kundenvorgaben
  • nach WE Spezifikationen
  • nach IPC
Erstmusterprüfung "Standard"
  • nach DIN EN 10204
  • Prüfung in Anlehnung an IPC
  • nach Kundenvorgaben
  • nach WE Spezifikationen
  • nach IPC
Erstmusterprüfung "ausführlich" (kundenspezifisch)
 
  • nach DIN EN 10204
  • Prüfung in Anlehnung an IPC
  • nach Kundenvorgaben
  • nach WE Spezifikationen
  • nach IPC
Oberflächen im Überblick
 
Bleifrei 

Schichtdicke

Schichtdicke

Lagerfähigkeit

Bemerkungen
Hot Air Leveling (HAL) Nein (HAL SnPb) 1 ... 40 μm 1 ... 40 μm 12 Monate 
  • nicht mehr zulässig seit 2006 (Ausnahme: siehe Richtlinie)
Hot Air Leveling (HAL) Ja 1 ... 40 μm 1 ... 40 μm 12 Monate
  • hohe Prozesstemperatur (265-280 °C)
  • erhöhter Cu-Abtrag, abhängig von Layout
Chemisch Nickel-Gold cNiAu  Ja 4 ... 7 μm Ni
0,075 … ± 0,025 μm Au 
min. 3 μm Ni
min. 0.05 μm Au 
12 Monate
  • niedrige Prozesstemperatur (ca. 90 °C)
  • ebene Schicht
  • Verbindung erfolgt auf Ni
Chemisch Zinn cSn Ja 0,8 ... 1,1 μm ≥ 1.0 μm 6 Monate
  • niedrige Prozesstemperatur (ca. 70 °C)
  • ebene Schicht
  • Wachstum in der intermetallischen Phase zwischen Cu und Sn
  • Schichtdicke > 1 μm bei Mehrfachlöten erforderlich
  • zügige Verarbeitung im Bestückungsprozess