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WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer NEU

für SiC-MOSFET und IGBT

 Bauform MaßeL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Montageart
NEU EP7 11.3 10.95 11.94 SMT

Merkmale

  • Die Kapazität zwischen den Wicklungen beträgt typisch nur 6,8 pF
  • Winziges SMD EP7-Gehäuse
  • Dielektrische Isolationsspannung bis zu 4 kV AC
  • Basisisolierung
  • Sicherheitsstandard: IEC62368-1 / IEC61558-2-16
  • AEC-Q200 Qualifizierung
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis zu +130 °C
  • Steuerspannungen für viele gängige SiC-MOSFET's
  • Hohe Gleichtakt-Transienten-Immunität (CMTI)
  • Flyback DC/DC mit primärseitiger Regelung
  • Bis zu 6 W Ausgangsleistung
  • Weiter Eingangsspannungsbereich 9 V bis 36 V
  • Verschiedene unipolare und bipolare Ausgangsspannungen
  • Hoher Wirkungsgrad und sehr kompakt
  • Referenzdesigns mit Analog Devices und Texas Instruments

Anwendung

  • Industrielle Antriebe
  • AC-Motor-Umrichter
  • HEV/EV charging station
  • Batterie Ladegeräte
  • Solar-Wechselrichter
  • Rechenzentren
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Wirkleistungsfaktor-Korrektur
  • SiC-MOSFET-basierte Leistungskonverter

Drive hard. Drive safe.

Mit der WE-AGDT-Serie von Würth Elektronik lassen sich diskrete SiC-Gate-Treiber-Designs einfacher als je zuvor realisieren.

Video und mehr

Artikeldaten

EP7
Artikel Nr. Daten­blatt DownloadsVin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
CWW 1
(pF)
fswitch
(kHz)
IC-ReferenzPO
(W)
IC-Referenz Muster
750318131SPEC

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Artikel Nr. Daten­blatt
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Muster
Artikel Nr. Daten­blatt DownloadsVin
(V)
VOut1
(V)
VOut2
(V)
CWW 1
(pF)
fswitch
(kHz)
IC-ReferenzPO
(W)
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